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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
28
读取速度,GB/s
14,740.4
18.7
写入速度,GB/s
8,883.4
15.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3394
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
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