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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
54
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
29
读取速度,GB/s
9.2
14.2
写入速度,GB/s
8.1
12.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2873
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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