Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

总分
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

总分
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    33 left arrow 42
    左右 -27% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    17.6 left arrow 9.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.0 left arrow 6.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 10600
    左右 2.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    42 left arrow 33
  • 读取速度,GB/s
    9.7 left arrow 17.6
  • 写入速度,GB/s
    6.0 left arrow 12.0
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1396 left arrow 2910
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最新比较