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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
45
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.7
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.5
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
45
读取速度,GB/s
9.7
10.7
写入速度,GB/s
6.0
6.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2142
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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