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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
12.8
16.7
写入速度,GB/s
8.4
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2226
3199
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
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