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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
8.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
62
87
左右 -40% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
62
读取速度,GB/s
3,155.6
17.4
写入速度,GB/s
870.4
8.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2086
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
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