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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
总分
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
42
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
22
读取速度,GB/s
10.6
17.5
写入速度,GB/s
7.8
12.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
3057
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
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