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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
总分
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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需要考虑的原因
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
42
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
34
读取速度,GB/s
10.6
14.1
写入速度,GB/s
7.8
9.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
2562
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
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Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
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