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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
71
左右 -154% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.8
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
28
读取速度,GB/s
2,831.6
18.3
写入速度,GB/s
1,322.6
15.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
3535
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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