RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
71
左右 -115% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
33
读取速度,GB/s
2,831.6
15.0
写入速度,GB/s
1,322.6
10.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
2478
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB RAM的比较
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link