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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
71
左右 -122% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
32
读取速度,GB/s
2,831.6
16.4
写入速度,GB/s
1,322.6
11.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
2973
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-008.D02G 8GB
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Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
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