RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
71
左右 -122% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
32
读取速度,GB/s
2,831.6
15.3
写入速度,GB/s
1,322.6
10.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
2706
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link