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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
71
左右 -145% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
29
读取速度,GB/s
2,831.6
16.9
写入速度,GB/s
1,322.6
12.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
3191
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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