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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
71
左右 -145% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
29
读取速度,GB/s
2,831.6
17.2
写入速度,GB/s
1,322.6
13.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
3199
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
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