RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 9905713-030.A00G 8GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
71
左右 -137% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
30
读取速度,GB/s
2,831.6
15.6
写入速度,GB/s
1,322.6
11.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
2921
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link