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Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
比较
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB vs A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
总分
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
总分
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
63
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
12.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR5
PassMark中的延时,ns
63
40
读取速度,GB/s
14.7
16.2
写入速度,GB/s
12.7
13.5
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2543
3014
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB RAM的比较
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A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
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