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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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需要考虑的原因
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
35
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
33
读取速度,GB/s
13.7
14.5
写入速度,GB/s
9.6
10.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2485
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
INTENSO 5641162 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
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