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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
68
左右 60% 更低的延时
需要考虑的原因
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
68
读取速度,GB/s
11.8
15.0
写入速度,GB/s
7.3
8.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
1904
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
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