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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
总分
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
6.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
8500
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
12.7
9.4
写入速度,GB/s
8.2
6.2
内存带宽,mbps
12800
8500
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
排名PassMark (越多越好)
2227
1207
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB RAM的比较
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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