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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
6.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
8500
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
28
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
9.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
6.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
8500
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2227
1207
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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