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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD3SST4GG5WB-CKGEL 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD3SST4GG5WB-CKGEL 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Atla Electronics Co. Ltd. AD3SST4GG5WB-CKGEL 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
4.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Atla Electronics Co. Ltd. AD3SST4GG5WB-CKGEL 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
8500
Rund um 1.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD3SST4GG5WB-CKGEL 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
30
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
4.7
Speicherbandbreite, mbps
8500
12800
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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1471
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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