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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD3SST4GG5WB-CKGEL 4GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD3SST4GG5WB-CKGEL 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Atla Electronics Co. Ltd. AD3SST4GG5WB-CKGEL 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.6
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
4.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Atla Electronics Co. Ltd. AD3SST4GG5WB-CKGEL 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de -7% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
8500
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD3SST4GG5WB-CKGEL 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
30
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
4.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
12800
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
1471
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD3SST4GG5WB-CKGEL 4GB Comparações de RAM
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
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