Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD3SST4GG5WB-CKGEL 4GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD3SST4GG5WB-CKGEL 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Punteggio complessivo
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Atla Electronics Co. Ltd. AD3SST4GG5WB-CKGEL 4GB

Atla Electronics Co. Ltd. AD3SST4GG5WB-CKGEL 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    10.6 left arrow 10
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    6.8 left arrow 4.7
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 30
    Intorno -7% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 8500
    Intorno 1.51 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD3SST4GG5WB-CKGEL 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    30 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    10.6 left arrow 10.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    6.8 left arrow 4.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    8500 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1479 left arrow 1471
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