RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Note globale
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
6.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
8500
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
28
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
9.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
6.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
8500
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
1207
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link