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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB vs Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
差异
规格
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差异
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
12.2
17.2
写入速度,GB/s
8.6
13.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2062
3228
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
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