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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
12.8
14.3
写入速度,GB/s
9.0
10.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2408
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
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