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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
差异
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
41
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
36
读取速度,GB/s
14.0
14.7
写入速度,GB/s
9.2
10.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2356
2998
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Frequency (Mhz) *
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
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