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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
51
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
51
读取速度,GB/s
14.0
10.9
写入速度,GB/s
9.2
8.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2356
2286
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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