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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
20.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
39
左右 -117% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.6
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
18
读取速度,GB/s
5,022.9
20.9
写入速度,GB/s
1,597.0
16.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
3601
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM的比较
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
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