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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
43
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.6
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
43
读取速度,GB/s
5,022.9
12.8
写入速度,GB/s
1,597.0
14.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
3050
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
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