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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
74
左右 47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.2
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
74
读取速度,GB/s
5,022.9
14.4
写入速度,GB/s
1,597.0
6.2
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
1557
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM的比较
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
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