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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
39
左右 -26% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
31
读取速度,GB/s
5,022.9
17.2
写入速度,GB/s
1,597.0
12.9
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
3100
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM的比较
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
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