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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
57
左右 5% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.4
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
57
读取速度,GB/s
9.2
9.4
写入速度,GB/s
8.1
7.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2170
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB RAM的比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
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