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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
比较
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
总分
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
63
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
40
读取速度,GB/s
6.1
13.8
写入速度,GB/s
5.0
10.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1274
2340
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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