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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
3,405.2
12.0
写入速度,GB/s
2,622.0
9.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2537
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
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