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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
比较
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
总分
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
总分
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
13.7
17.6
写入速度,GB/s
8.3
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2270
3412
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB RAM的比较
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
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Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
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