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PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
比较
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB vs Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
总分
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
总分
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
61
左右 -154% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR5
PassMark中的延时,ns
61
24
读取速度,GB/s
6.3
13.4
写入速度,GB/s
5.2
12.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1287
3436
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB RAM的比较
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
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