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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston 9905668-002.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
58
左右 -49% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
39
读取速度,GB/s
4,241.0
13.3
写入速度,GB/s
1,950.7
10.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2279
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
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