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PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs A-DATA Technology 11137401 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
A-DATA Technology 11137401 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology 11137401 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
40
读取速度,GB/s
13.8
15.1
写入速度,GB/s
8.4
7.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1921
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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