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PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB

总分
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

总分
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Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB

Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB

差异 规格 评论

差异

PNY Electronics PNY 2GB 需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB 需要考虑的原因
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    14.2 left arrow 13.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.0 left arrow 8.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    13.8 left arrow 14.2
  • 写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 11.0
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2274 left arrow 2596

PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB RAM的比较

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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
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G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
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内存RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
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内存RAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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内存RAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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