RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

总分
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

总分
star star star star star
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

差异 规格 评论

差异

PNY Electronics PNY 2GB 需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB 需要考虑的原因
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 27
    左右 -8% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.2 left arrow 13.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.9 left arrow 8.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 25
  • 读取速度，GB/s
    13.8 left arrow 16.2
  • 写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 11.9
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2274 left arrow 2909

PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB RAM的比较

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
内存RAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
内存RAM
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
内存RAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
内存RAM