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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
13.8
17.2
写入速度,GB/s
8.4
13.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3142
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB RAM的比较
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
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