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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
13.8
13.5
写入速度,GB/s
8.4
6.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2172
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
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