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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.8
18.3
写入速度,GB/s
8.4
14.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3330
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
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