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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
27
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
20
读取速度,GB/s
13.8
18.4
写入速度,GB/s
8.4
13.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3426
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
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