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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
13.8
15.3
写入速度,GB/s
8.4
11.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2987
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
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SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
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