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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.8
18.2
写入速度,GB/s
8.4
14.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3245
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
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