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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.8
17.8
写入速度,GB/s
8.4
14.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3506
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
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