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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.8
17.0
写入速度,GB/s
8.4
15.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3656
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
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