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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
13.8
19.4
写入速度,GB/s
8.4
16.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
4063
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
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